MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]

Фото 1/3 MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 руб.
от 100 шт.18 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 19 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть аналоги2
Номенклатурный номер: 9000119198
Артикул: MMBF170
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 5 Ом/0.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.83
Корпус SOT-23-3
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 904 КБ
MMBF170
pdf, 1298 КБ
Документация
pdf, 903 КБ
BS170, MMBF170
pdf, 837 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов