MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]

Артикул: MMBF170
Ном. номер: 9000119198
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/6 MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]
Фото 2/6 MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]Фото 3/6 MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]Фото 4/6 MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]Фото 5/6 MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]Фото 6/6 MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]
Есть в наличии более 1000 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
5 руб. × = 5 руб.
от 100 шт. — 4 руб.
от 1000 шт. — 3 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The MMBF170 is a N-channel enhancement-mode FET produced using Fairchild's proprietary high cell density DMOS technology. It is designed to minimize ON-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 500mA DC. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.

• High density cell design for low RDS (ON)
• Voltage controlled small signal switch
• Rugged and reliable
• High saturation current capability

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
1200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус

Техническая документация

MMBF170
pdf, 1298 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MMBF170
Datasheet MMBF170
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов