MMBFJ112, Транзистор N-JFET 35В 0.05 0.35Вт [SOT-23-3]
![Фото 1/6 MMBFJ112, Транзистор N-JFET 35В 0.05 0.35Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 руб.
от 100 шт. —
23 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 24 руб.
Описание
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | 4 mA to 20 mA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | -5 V |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | MMBFJ112_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 Ohms |
| Series: | MMBFJ112 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | JFET |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -35 V |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 444 КБ
Datasheet
pdf, 324 КБ
MMBFJ112
pdf, 418 КБ
Документация
pdf, 451 КБ
J111, J112, J113, MMBFJ111, MMBFJ112, MMBFJ113
pdf, 445 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
