MMBFJ310, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23]

Фото 2/5 MMBFJ310, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23]Фото 3/5 MMBFJ310, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23]Фото 4/5 MMBFJ310, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23]Фото 5/5 MMBFJ310, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23]
Фото 1/5 MMBFJ310, Транзистор RF N-CH 25V 10MA [SOT23]
1806 шт. со склада г.Москва
16 руб.
от 100 шт.15 руб.
от 1000 шт.13.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 16 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9020001918
Артикул: MMBFJ310
PartNumber: MMBFJ310LT1G
Производитель: ON Semiconductor

Описание

MMBFJ310LT1G - это N-канальный полевой транзистор JFET, разработанный для высокочастотных усилителей и генераторов. Устройство предлагает сменные сток и исток, компактный корпус для поверхностного монтажа. Low RDS (ON) обеспечивает более высокую эффективность и продлевает срок службы батареи.

• Напряжение сток-исток 25 В постоянного тока
• Напряжение затвор-исток 25 В постоянного тока
• Ток затвора 10 мА

Технические параметры

Структура n-канал
Напряжение пробоя (V(br)gss), В 25
Ток утечки (Idss), мА 24…60
при Vds, В (Vgs=0) 10
Напряжение отсечки (Vgs off), В 2…6.5
при Id, нА 1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0.225
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус sot-23
Вес, г 0.05

Техническая документация

MMBFJ310
pdf, 409 КБ
MMBFJ310LT1G
pdf, 180 КБ
Datasheet
pdf, 181 КБ
Datasheet
pdf, 118 КБ
Datasheet
pdf, 121 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах