MMBTA06-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 500мА, 350мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

11 руб.

Кратность заказа 20 шт.

от 200 шт. — 7 руб.

от 600 шт. — 5.20 руб.

от 3000 шт. — 3.92 руб.

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 220 руб.

Номенклатурный номер: 8017544595

Артикул: MMBTA06-7-F

Бренд: DIODES INC.

Brand:	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO:	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	250 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	500 mA
Emitter- Base Voltage VEBO:	4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Gain Bandwidth Product fT:	100 MHz
Manufacturer:	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current:	500 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-23-3
Pd - Power Dissipation:	310 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	MMBTA06
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum DC Collector Current	500 mA
Maximum Emitter Base Voltage	4 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	300 mW
Minimum DC Current Gain	100
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.02