MMBTA13, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В, 125 МГц, 350 мВт, 1.2 А, 10000 hFE

PartNumber: MMBTA13
Ном. номер: 8076388237
Производитель: ON Semiconductor
MMBTA13, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В, 125 МГц, 350 мВт, 1.2 А, 10000 hFE
Доступно на заказ 2755 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
20 руб. × = 100 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 7.90 руб.
от 250 шт. — 7.20 руб.

Описание

The MMBTA13 is a NPN Darlington Transistor designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1A.

• -55 to 150°C Operating junction temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
30В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Рассеиваемая Мощность
350мВт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
1.2А
DC Усиление Тока hFE
10000hFE
Частота Перехода ft
125МГц

Дополнительная информация

Datasheet MMBTA13
Datasheet MMBTA13