MMUN2212LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 22 кОм, 22 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
34 руб.
Мин. кол-во для заказа 80 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
19 руб.
Добавить в корзину 80 шт.
на сумму 2 720 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Описание Микросборка комбинированная SOT23-3
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 246 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.94 mm |
Длина | 2.9 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 60 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | MMUN2212L |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 22 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 388 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов