MMUN2212LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 22 кОм, 22 кОм

Фото 1/3 MMUN2212LT1G, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 22 кОм, 22 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
34 руб.
Мин. кол-во для заказа 80 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.19 руб.
Добавить в корзину 80 шт. на сумму 2 720 руб.
Номенклатурный номер: 8215959780
Артикул: MMUN2212LT1G

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Описание Микросборка комбинированная SOT23-3

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 246 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.94 mm
Длина 2.9 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 60
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 60
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MMUN2212L
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 22 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 388 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов