MMUN2230LT1G, Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

43 руб.

от 10 шт. — 31 руб.

от 100 шт. — 17 руб.

от 1000 шт. — 9.60 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 43 руб.

Номенклатурный номер: 8006212923

Артикул: MMUN2230LT1G

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased

Brand:	onsemi
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	50 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	0.1 A
DC Collector/Base Gain hFE Min:	3
DC Current Gain hFE Max:	3
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package/Case:	SOT-23-3
Pd - Power Dissipation:	246 mW
Peak DC Collector Current:	100 mA
Product Category:	Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series:	MMUN2230L
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	NPN
Typical Input Resistor:	1 kOhms
Typical Resistor Ratio:	1
Collector Emitter Voltage Max NPN	50В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	3hFE
Power Dissipation	400мВт
Количество Выводов	3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора	SOT-23
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер	50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic	100мА
Полярность Транзистора	Single NPN
Полярность Цифрового Транзистора	Одиночный NPN
Резистор База-эмиттер R2	1кОм
Резистор На входе Базы R1	1кОм
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.01