MS5N100FT, Транзистор N-MOSFET 1000В 5А 68Вт [TO-220]

MS5N100FT, Транзистор N-MOSFET 1000В 5А 68Вт [TO-220]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
143 шт. со склада г.Москва
70 руб.
от 10 шт.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 70 руб.
Номенклатурный номер: 9001265907
Артикул: MS5N100FT

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4.2 Ом/1.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 68
Крутизна характеристики, S 3
Корпус to-220
Пороговое напряжение на затворе 3…4.5
Вес, г 2.5

Техническая документация

MS5N100
pdf, 3619 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.