MS8N100FE, Транзистор N-MOSFET 1000В 8А 31.7Вт [TO-263]

MS8N100FE, Транзистор N-MOSFET 1000В 8А 31.7Вт [TO-263]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
172 шт. со склада г.Москва
140 руб.
от 10 шт.126 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
Номенклатурный номер: 9001265906
Артикул: MS8N100FE

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 167
Крутизна характеристики, S 5.6
Корпус TO-263
Пороговое напряжение на затворе 3…5
Вес, г 2.4

Техническая документация

MS8N100F
pdf, 3740 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.