NCP5109ADR2G, Драйвер МОП-транзистора, высокой и низкой сторон, 10В - 20В питание, 500мА выход, 100нс задержка

NCP5109ADR2G, Драйвер МОП-транзистора, высокой и низкой сторон, 10В - 20В питание, 500мА выход, 100нс задержка
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 22 шт.
от 100 шт.114 руб.
Добавить в корзину 22 шт. на сумму 2 860 руб.
Номенклатурный номер: 8976695813
Артикул: NCP5109ADR2G

Описание

NCP5106 & NCP5109 High Voltage Side Drivers

onsemi NCP5106 and NCP5109 High Voltage Side Drivers provide two outputs for direct drive of two N-channel power MOSFETs or Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) arranged in a half-bridge configuration. These high voltage, high, and low side drivers feature a dV/dt immunity of 50 volts per nanosecond (V/ns) and are 3.3V and 5V input logic compatible. These devices use the bootstrap technique to ensure a proper drive of the High Side power switch and provide a rugged design.

Технические параметры

Brand: onsemi
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 35 ns
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +125 C
Maximum Turn-Off Delay Time: 170 ns
Maximum Turn-On Delay Time: 170 ns
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Drivers: 2 Driver
Number of Outputs: 2 Output
Output Current: 500 mA
Package / Case: SOIC-8
Product Category: Gate Drivers
Product Type: Gate Drivers
Product: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Rise Time: 85 ns
Series: NCP5109
Subcategory: PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max: 20 V
Supply Voltage - Min: -300 mV
Technology: Si
Type: Half-Bridge
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 233 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем