NCV57001DWR2G, IGBT Driver, High Side and Low Side, 7.1A, 3.3V to 5V Supply, 60 ns/66ns Delay, WSOIC-16
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 350 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 150 руб.
от 100 шт. —
886 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 700 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
Драйверы для управления затвором IGBT gate driver
Технические параметры
IC Case / Package | WSOIC |
Задержка Выхода | 66нс |
Задержка по Входу | 60нс |
Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
Количество Каналов | 1канал(-ов) |
Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальное Напряжение Питания | 5В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальное Напряжение Питания | 3.3В |
Стиль Корпуса Привода | WSOIC |
Тип переключателя питания | IGBT |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Pd - рассеивание мощности | 1400 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 15 ns |
Выходной ток | 6 A |
Задержка распространения - макс. | 90 ns |
Категория продукта | Драйверы для управления затвором |
Квалификация | AEC-Q100 |
Количество выходов | 1 Output |
Количество драйверов | 1 Driver |
Конфигурация | Inverting, Non-Inverting |
Максимальное время задержки включения | 90 ns |
Максимальное время задержки выключения | 90 ns |
Напряжение питания - макс. | 5 V |
Напряжение питания - мин. | 3.3 V |
Подкатегория | PMIC - Power Management ICs |
Продукт | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
Рабочий ток источника питания | 4.8 mA |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Тип | Inverting, Non-Inverting |
Тип продукта | Gate Drivers |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOIC-16 |
Вес, г | 3.4 |
Техническая документация
Datasheet NCV57001DWR2G
pdf, 149 КБ
Datasheet NCV57001DWR2G
pdf, 222 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем