NJW0281G, Биполярный транзистор, аудио, NPN, 250 В, 15 А, 150 Вт, TO-3P, Through Hole

Фото 1/5 NJW0281G, Биполярный транзистор, аудио, NPN, 250 В, 15 А, 150 Вт, TO-3P, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
720 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.650 руб.
от 100 шт.419 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 880 руб.
Номенклатурный номер: 8083686460
Артикул: NJW0281G

Описание

Описание Транзистор биполярный стандартный, TO-3P

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 250 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage 250 V
Maximum DC Collector Current 15 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 1 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 150 W
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-3P
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Brand: onsemi
Collector- Base Voltage VCBO: 250 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 250 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 15 A
DC Collector/Base Gain hFE Min: 75
DC Current Gain hFE Max: 75
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: 30
Gain Bandwidth Product fT: 30 MHz
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 15 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-3P-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 150 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 5.217

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 165 КБ
Datasheet
pdf, 98 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов