Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › NSS30100LT1G, Bipolar Transistors - BJT 2A ...

NSS30100LT1G, Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

от 10 шт. — 91 руб.

от 100 шт. — 50 руб.

от 1000 шт. — 31.33 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Номенклатурный номер: 8005547406

Артикул: NSS30100LT1G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 2A 30V Low VCEsat

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	310 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.94 mm
Длина	2.9 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	NSS30100LT1G
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Collector Emitter Voltage Max	30В
Continuous Collector Current	1А
DC Current Gain hFE Min	80hFE
DC Усиление Тока hFE	80hFE
Power Dissipation	710мВт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	100МГц
Вес, г	0.008