NSS30101LT1G, Bipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

от 10 шт. — 94 руб.

от 100 шт. — 48 руб.

от 1000 шт. — 30.89 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Номенклатурный номер: 8006248158

Артикул: NSS30101LT1G

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 1А, 710мВт, SOT23 Характеристики

Pd - рассеивание мощности	310 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.94 mm
Длина	2.9 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	300
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	NSS30101LT1G
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Вес, г	0.008

pdf, 162 КБ

Мы рекомендуем