NSVJ3910SB3T1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -25 В, 40 мА, -1.8 В, CPH, 3 Вывода, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
105 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 3 400 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Gate Source Breakdown Voltage Max | -25В |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3 Вывода |
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | -1.8В |
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) | 40мА |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) | 20мА |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | CPH |
Тип Транзистора | JFET |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet NSVJ3910SB3T1G
pdf, 545 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов