NSVJ3910SB3T1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -25 В, 40 мА, -1.8 В, CPH, 3 Вывода, 150 °C

NSVJ3910SB3T1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -25 В, 40 мА, -1.8 В, CPH, 3 Вывода, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.105 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 3 400 руб.
Номенклатурный номер: 8001636515
Артикул: NSVJ3910SB3T1G

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)

Технические параметры

Channel Type N Channel
Gate Source Breakdown Voltage Max -25В
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3 Вывода
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) -1.8В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) 40мА
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) 20мА
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора CPH
Тип Транзистора JFET
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet NSVJ3910SB3T1G
pdf, 545 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов