NTD18N06LT4G, Транзистор полевой N-канальный 60В 18A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

140 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 20 шт. — 120 руб.

от 39 шт. — 105 руб.

от 78 шт. — 100 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 560 руб.

Номенклатурный номер: 8009975930

Артикул: NTD18N06LT4G

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 60В 18A

Корпус	DPAK-3
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	18 A
Maximum Drain Source Resistance	65 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-15 V, +15 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	55 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 5 V
Width	6.22mm
Brand:	onsemi
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	38 ns
Forward Transconductance - Min:	13.5 S
Id - Continuous Drain Current:	18 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	55 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	11 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	65 mOhms
Rise Time:	79 ns
Series:	NTD18N06L
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	19 ns
Typical Turn-On Delay Time:	9.9 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-5 V, +5 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Вес, г	0.484