NTJD1155LG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
87 руб.
от 10 шт. —
69 руб.
от 100 шт. —
51.63 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N & P-CH, 8V, 1.3A, SC-88-6; Transistor Polarity:N and P Complement; Continuous Drain Current Id:1.3A; Drain Source Voltage Vds:8V; On Resistance Rds(on):0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:400mW; Transistor Case Style:SC-88; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150В°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Base Part Number | NTJD1155 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.13Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.13Ом |
| Power Dissipation N Channel | 400мВт |
| Power Dissipation P Channel | 400мВт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 8В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 8В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 8В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.3А |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 1.3А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 1.3А |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Рассеиваемая Мощность | 400мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.13Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-88 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Case | SC88 |
| Control voltage | 1.5…8V DC |
| Kind of integrated circuit | high-side |
| Kind of output | P-Channel |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting | SMD |
| Number of channels | 1 |
| On-state resistance | 130/320mΩ |
| Output current | 1.3A |
| Type of integrated circuit | power switch |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 320 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 400 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | N+P Loadswitch |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.35mm |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 108 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 199 КБ
Datasheet NTJD1155LT1G
pdf, 201 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
