NTMFS6H818NT1G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 80 В, 123 А, 0.0031 Ом, DFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
750 руб.
от 100 шт. —
589 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 400 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзисторы Trench8onsemi МОП-транзисторы Trench8 отличаются низким максимальным сопротивлением в открытом состоянии (R DS(ON ), сверхнизким зарядом затвора (Q g ) и низким (Q g ) x R DS (ON), ключевой показатель качества (FOM) для полевых МОП-транзисторов, используемых в приложениях преобразования энергии.Благодаря оптимизированным характеристикам переключения на основе технологии T6 полевые МОП-транзисторы Trench8 обеспечивают снижение Q g и Q oss на 35–40 % по сравнению с серией Trench6. Полевые МОП-транзисторы Onsemi Trench8 доступны в широком диапазоне типов корпусов для обеспечения гибкости конструкции. Для автомобильных приложений доступны варианты, соответствующие стандарту AEC-Q101 и совместимые с PPAP. Многие из этих устройств предлагаются в корпусах, смачиваемых по бокам, что позволяет проводить автоматический оптический контроль (AOI) .
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0031Ом |
| Power Dissipation | 136Вт |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 123А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0031Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | onsemi |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Fall Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 123 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SO-8FL-4 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 46 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.7 mOhms |
| Rise Time: | 98 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 49 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet NTMFS6H818NT1G
pdf, 82 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
