NXH40T120L3Q1SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 42 А, 1.85 В, 146 Вт, 175 °C, PIM

Фото 1/4 NXH40T120L3Q1SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 42 А, 1.85 В, 146 Вт, 175 °C, PIM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
43 840 руб.
от 5 шт.38 730 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 43 840 руб.
Номенклатурный номер: 8003015553
Артикул: NXH40T120L3Q1SG

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
The NXH40T120L3Q1PG/SG is a case power module containing a three channel T-type neutral-point clamped (TNPC) circuit.

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 42А
DC Ток Коллектора 42А
Power Dissipation 146Вт
Выводы БТИЗ Solder
Конфигурация БТИЗ PIM Half Bridge Inverter
Линейка Продукции NXH40T120L3Q1
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Рассеиваемая Мощность 146Вт
Стиль Корпуса Транзистора PIM
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 145 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type Q13-TNPC
Pin Count 44
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2416 КБ
Datasheet NXH40T120L3Q1SG
pdf, 2213 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов