PBHV8540T.215

Фото 1/5 PBHV8540T.215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
24 руб.
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
от 342 шт.20 руб.
Добавить в корзину 150 шт. на сумму 3 600 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8008491870
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки биполярные
Биполярные транзисторы - BJT HIGH VOLTAGE BISS

Технические параметры

Корпус to236
кол-во в упаковке 3000
Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3 mm
Другие названия товара № 934061414215
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 100 at 50 mA, 10 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 500 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 500 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 30 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Maximum Collector Base Voltage 500 V
Maximum Collector Emitter Voltage 400 V
Maximum DC Collector Current 500 mA
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.028

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PBHV8540T,215
pdf, 108 КБ
Datasheet PBHV8540T.215
pdf, 222 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов