PBSS4160DS,115, Транзистор биполярный (NPN 80В 2A SC-74-6)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 600 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | 1 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 220 MHz |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | TSOP-6 |
| Part # Aliases: | 934058115115 |
| Pd - Power Dissipation: | 700 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 220 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 700 mW |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TSOP |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
