PDTC114ET,215, Транзистор, NPN Digital, 50В, 100мА, R1/R2=10кОм, [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6074 шт. со склада г.Москва
19 руб.
от 100 шт. —
12 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 19 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Технические параметры
Полярность | npn | |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 50 | |
Выходной ток, мА | 100 | |
Резистор на входе Базы R1, кОм | 10 | |
Резистор База-Эмиттер R2, кОм | 10 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Структура | npn с 2 резисторами | |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 | |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 | |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 | |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 | |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 230 | |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 | |
Корпус | sot-23 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 711 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PDTC114ET,215
pdf, 848 КБ
Datasheet PDTC114EU,115
pdf, 1327 КБ
PDTC114ET Datasheet
pdf, 56 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают