PMBFJ309,215, Транзистор MOSFET N-CH 25V 30MA 50 Ohm [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
29 руб.
от 100 шт. —
24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 29 руб.
Посмотреть аналоги1
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Корпус | sot-23 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.25 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -65…+150 | |
Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 25 | |
Ток утечки (Idss), мА | 12…30 | |
при Vds, В (Vgs=0) | 10 | |
Напряжение отсечки (Vgs off), В | 1…4 | |
при Id, нА | 1000 | |
Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 50(typ) | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
datasheet PMBFJ309,215
pdf, 120 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают