QH8JA1TCR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
190 руб.
от 10 шт. —
162 руб.
от 20 шт. —
149.94 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -5A, 1.1W; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vg
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 2 P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 65 ns, 65 ns |
| Forward Transconductance - Min | 5.5 S, 5.5 S |
| Id - Continuous Drain Current | -5 A |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | TSMT-8 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 10.2 nC, 10.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 28 mOhms, 28 mOhms |
| Rise Time | 32 ns, 32 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 2 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 70 ns, 70 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns, 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -1.2 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Qg - заряд затвора | 10.2 nC, 10.2 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms, 28 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 32 ns, 32 ns |
| Время спада | 65 ns, 65 ns |
| Другие названия товара № | QH8JA1 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.5 S, 5.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns, 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns, 11 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TSMT-8 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1633 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
