QH8KA3TCR, Двойной МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 30 В, 9 А, 9 А, 0.0123 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1766 шт., срок 8-10 недель
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 100 шт. —
151 руб.
Добавить в корзину 12 шт.
на сумму 2 760 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0123Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0123Ом |
| Power Dissipation N Channel | 2.6Вт |
| Power Dissipation P Channel | 2.6Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 9А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 9А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.6Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0123Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 5.67 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
