QH8KC6TCR, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 5.5 А, 0.023 Ом, TSMT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2499 шт., срок 8-10 недель
310 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт. —
280 руб.
от 100 шт. —
205 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 2 790 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
The ROHM dual N channel MOSFET which supports 60V withstand voltage. This is designed for 24V input equipment's such as factory automation equipment's, and motors mounted on base stations.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.03 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TSMT-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | QH8KC6 |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet QH8KC6TCR
pdf, 2685 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
