Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Rohm › QH8MA3TCR, Двойной МОП-транзистор ...

QH8MA3TCR, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 7 А, 0.022 Ом, TSMT, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5625 шт., срок 8-10 недель

170 руб.

Мин. кол-во для заказа 16 шт.

от 100 шт. — 112 руб.

Добавить в корзину 16 шт. на сумму 2 720 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8516095177

Артикул: QH8MA3TCR

Бренд: Rohm

Описание

МОП-транзистор 30V N+P Ch МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	7 A, 5.5 A
Pd - рассеивание мощности	2.5 W
Qg - заряд затвора	7.2 nC, 10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	22 mOhms, 37 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V, 2.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	8 ns, 12 ns
Время спада	5.7 ns, 20 ns
Другие названия товара №	QH8MA3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	2.7 S, 3.3 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	12 ns, 40 ns
Типичное время задержки при включении	7.2 ns, 8 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	TSMT-8
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	7 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TSMT8
Pin Count	8
Transistor Material	Si
Вес, г	5.577