R6042JNZ4C13, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 42 А, 0.08 Ом, TO-247, Through Hole

Фото 1/3 R6042JNZ4C13, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 42 А, 0.08 Ом, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 шт., срок 8-10 недель
2 660 руб.
от 5 шт.2 450 руб.
от 10 шт.2 270 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 660 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001584207
Артикул: R6042JNZ4C13
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 600V N-CH 42A POWER

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.08Ом
Power Dissipation 495Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 42А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 495Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.08Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Id - непрерывный ток утечки 42 A
Pd - рассеивание мощности 495 W
Qg - заряд затвора 100 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 104 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 30 ns
Время спада 35 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PrestoMOS
Конфигурация Single
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 30
Серия BM14270MUV-LB
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 100 ns
Типичное время задержки при включении 40 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Base Product Number R6042 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 15V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 495W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 21A, 15V
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247G
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 5.5mA
Channel Mode Enhancement
Maximum Continuous Drain Current 42 A
Maximum Drain Source Resistance 104 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 600 V
Maximum Gate Source Voltage ±30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 7V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 495 W
Minimum Gate Threshold Voltage 5V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-247G
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 100 nC @ 15 V
Width 5.22mm
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2290 КБ
Datasheet R6042JNZ4C13
pdf, 1458 КБ
Datasheet R6042JNZ4C13
pdf, 2289 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.