RD3H080SPFRATL, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 45 В, 8 А, 0.065 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
![Фото 1/2 RD3H080SPFRATL, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 45 В, 8 А, 0.065 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/551/DOC006551365.jpg)
4854 шт., срок 7-9 недель
370 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
340 руб.
от 100 шт. —
250 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 2 590 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор Pch -45V Vdss -8A ID TO-252(DPAK);TO-252
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.065Ом |
Power Dissipation | 15Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 45В |
Непрерывный Ток Стока | 8А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 15Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.065Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 15 W |
Qg - заряд затвора | 9 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 91 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 45 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 15 ns |
Время спада | 20 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | RD3H |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 50 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet RD3H080SPFRATL
pdf, 1532 КБ
Datasheet RD3H080SPFRATL
pdf, 1536 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары