Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Rohm › RD3H200SNTL1, Силовой МОП-транзистор ...

RD3H200SNTL1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 45 В, 20 А, 0.02 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2049 шт., срок 8-10 недель

330 руб.

Мин. кол-во для заказа 8 шт.

от 10 шт. — 300 руб.

от 100 шт. — 220 руб.

Добавить в корзину 8 шт. на сумму 2 640 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001715869

Артикул: RD3H200SNTL1

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

МОП-транзистор Nch 45V 20A TO-252 (DPAK)

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.02Ом
Power Dissipation	20Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	45В
Непрерывный Ток Стока	20А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	20Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.02Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Id - непрерывный ток утечки	20 A
Pd - рассеивание мощности	20 W
Qg - заряд затвора	12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	28 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	45 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	20 ns
Время спада	20 ns
Другие названия товара №	RD3H200SN
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	10 S
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	50 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	TO-252-3
Вес, г	0.01