RD3P100SNTL1, N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin DPAK RD3P100SNTL1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

400 шт., срок 7 недель

210 руб.

Кратность заказа 25 шт.

Добавить в корзину 25 шт. на сумму 5 250 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8014499088

Артикул: RD3P100SNTL1

Бренд: Rohm

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

RD3P100SN is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for Switching. Low on - resistance 4V drive

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.5V
Maximum Continuous Drain Current	10 A
Maximum Drain Source Resistance	147 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	20 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	RD3P100SN
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	18 nC @ 10 V
Width	6.4mm
Drain Source On State Resistance	0.095Ом
Power Dissipation	20Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	10А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	20Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.095Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Transistor Material	Si
Вес, г	1