RFD14N05L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
230 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
от 75 шт. —
176.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N, LOGIC, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:TO-251AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:I-PAK; Current Id Max:14A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Pulse Current Idm:20A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:50V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage Vgs th Max:2V
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±10 V |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| RDS-on | 100@5V mOhm |
| Typical Fall Time | 16 ns |
| Typical Rise Time | 24 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 42 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Вес, г | 0.454 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1043 КБ
RFD14N05LSM
pdf, 1568 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
