Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

RFD14N05L, Транзистор, N-канал, 50В, 14А, 100мОм [IPAK]

Артикул: RFD14N05L
Ном. номер: 9000143321
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 RFD14N05L, Транзистор, N-канал, 50В, 14А, 100мОм [IPAK]
Фото 2/3 RFD14N05L, Транзистор, N-канал, 50В, 14А, 100мОм [IPAK]Фото 3/3 RFD14N05L, Транзистор, N-канал, 50В, 14А, 100мОм [IPAK]
Доступно на заказ 2904 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
51 × = 51
от 25 шт. — 46 руб.
от 100 шт. — 29 руб.

Описание

The RFD14N05L from Fairchild is a through hole, 50V N channel logic level power MSOFET in TO-251AA package. Transistor is produced using megaFETprocess uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance MOSFET has an special gate oxide design which provides full rated conductance at gate bias in the 3V to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic level (5V) integrated circuits. Typical applications are switching regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers.

• Temperature compensating PSPICE model
• Driven directly from CMOS, NMOS and TTL circuits
• Drain to source voltage (Vds) of 50V
• Gate to source voltage of ±10V
• Continuous drain current (Id) of 14A
• Power dissipation (Pd) of 48W
• Low on state resistance of 100mohm at Vgs 5V
• Operating temperature range -55°C to 175°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус
Особенности
logic level

Техническая документация

RFD14N05LSM
pdf, 1568 КБ

Дополнительная информация

Datasheet RFD14N05L
Datasheet RFD14N05L
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов