RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB]
![Фото 1/7 RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/213/DOC001213530.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
от 15 шт. —
199 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.014 Ом/70А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 693 КБ
Datasheet RFP70N06
pdf, 1319 КБ
RFG70N06 / RFP70N06 / RF1S70N06 / RF1S70N06SM 70A, 60V, 0.014, N-Channel Power MOSFETs datasheet
pdf, 230 КБ
RFP70N06_D
pdf, 696 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
