Добавить к сравнению Сравнить ()

RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB]

Артикул: RFP70N06
Ном. номер: 994689779
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB]
Фото 2/3 RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB]Фото 3/3 RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB]
Есть в наличии более 80 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
60 × = 60
от 50 шт. — 48 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
14
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet RFP70N06
Datasheet RFP70N06
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов