RQ3L070ATTB, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 60 В, 25 А, 0.022 Ом, HSMT, Surface Mount

RQ3L070ATTB, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 60 В, 25 А, 0.022 Ом, HSMT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
580 шт., срок 8-10 недель
400 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт.360 руб.
от 100 шт.268 руб.
Добавить в корзину 7 шт. на сумму 2 800 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8007648453
Артикул: RQ3L070ATTB
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.022Ом
Power Dissipation 2Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 25А
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Рассеиваемая Мощность 2Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.022Ом
Стиль Корпуса Транзистора HSMT
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 5.58

Техническая документация

Datasheet RQ3L070ATTB
pdf, 2598 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.