RQ3L070ATTB, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 60 В, 25 А, 0.022 Ом, HSMT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 шт., срок 8-10 недель
400 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
360 руб.
от 100 шт. —
268 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 2 800 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.022Ом |
Power Dissipation | 2Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 25А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.022Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | HSMT |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 5.58 |
Техническая документация
Datasheet RQ3L070ATTB
pdf, 2598 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.