RQ6E050AJTCR, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 5 А, 0.026 Ом, TSMT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3675 шт., срок 8-10 недель
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
от 100 шт. —
90 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 2 800 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 30V N-CHANNEL 5A
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.026Ом |
| Power Dissipation | 1.25Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.25Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.026Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Qg - заряд затвора | 4.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 35 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 5.9 ns |
| Время спада | 5.7 ns |
| Другие названия товара № | RQ6E050AJ |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.8 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOT-457-6 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TSMT-6 |
| Pin Count | 6 |
| Series | RQ6E050AJ |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.8mm |
| Вес, г | 5.58 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
