RQ7G080ATTCR, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 40 В, 8 А, 0.0147 Ом, TSMT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2190 шт., срок 8-10 недель
310 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт. —
280 руб.
от 100 шт. —
206 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 2 790 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0147Ом |
Power Dissipation | 1.5Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 8А |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet RQ7G080ATTCR
pdf, 2635 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.