RS10N80F, МОП-транзистор , Pd - рассеивание мощности: 25 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва
100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 100 руб.
Альтернативные предложения3
Технические параметры
| Вес, г | 2.98 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK2232-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 45А 52Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO3407A, Транзистор P-MOSFET 30В 4.3A [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
