SBC847BDW1T1G, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
17 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 54 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 45V
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| PCB changed | 6 |
| Package Height | 0.9 |
| Mounting | Surface Mount |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Package Width | 1.25 |
| Package Length | 2 |
| Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Configuration | Dual |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
| Minimum DC Current Gain | 200@2mA@5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 380 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | Yes |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Supplier Package | SC-88 |
| Pin Count | 6 |
| Standard Package Name | SC |
| Military | No |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA at 5 V |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at 2 mA at 5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BC847BDW1 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 108 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
