SBCP53T1G, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
34 руб.
от 150 шт. —
30 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 80V
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.75 |
PCB changed | 3 |
Package Height | 1.57 |
Mounting | Surface Mount |
Lead Shape | Gull-wing |
Tab | Tab |
Package Width | 3.5 |
Package Length | 6.5 |
Type | PNP |
Product Category | Bipolar Power |
Material | Si |
Configuration | Single Dual Collector |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 150 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
Maximum DC Collector Current (A) | 1.5 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
Minimum DC Current Gain | 25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1500 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 50(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | Yes |
AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
Supplier Package | SOT-223 |
Pin Count | 4 |
Standard Package Name | SOT |
Military | No |
Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | BCP53 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 143 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов