SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 3.1А [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
71 руб.
от 5 шт. —
68 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 71 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой SI2301CDS-T1-GE3 от известного производителя VISHAY - это высококачественный компонент, применяемый в современной электронике. N-MOSFET транзистор отличается стабильной работой при токе стока до 3,1 А и напряжении сток-исток до 20 В. Благодаря мощности в 1,6 Вт и миниатюрному корпусу SOT23, этот транзистор идеально подходит для поверхностного монтажа в компактных устройствах. Надежность и долговечность - визитная карточка продукции VISHAY. Артикул SI2301CDST1GE3 гарантирует легкость в поиске и заказе данного компонента для разработчиков и производителей электроники. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 3.1 |
Напряжение сток-исток, В | 20 |
Мощность, Вт | 1.6 |
Корпус | SOT23 |
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.1A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 860mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 112mО© @ 2.8A,4.5V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 193 КБ
Datasheet SI2301CDS-T1-E3
pdf, 164 КБ
Datasheet SI2301CDS-T1-GE3
pdf, 197 КБ
SI2301CD
pdf, 202 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов