SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 3.1А [SOT-23-3]

Фото 1/9 SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 3.1А [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
71 руб.
от 5 шт.68 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 71 руб.
Номенклатурный номер: 9000223386
Артикул: SI2301CDS-T1-GE3

Описание

Описание Транзистор полевой SI2301CDS-T1-GE3 от известного производителя VISHAY - это высококачественный компонент, применяемый в современной электронике. N-MOSFET транзистор отличается стабильной работой при токе стока до 3,1 А и напряжении сток-исток до 20 В. Благодаря мощности в 1,6 Вт и миниатюрному корпусу SOT23, этот транзистор идеально подходит для поверхностного монтажа в компактных устройствах. Надежность и долговечность - визитная карточка продукции VISHAY. Артикул SI2301CDST1GE3 гарантирует легкость в поиске и заказе данного компонента для разработчиков и производителей электроники. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж SMD
Ток стока, А 3.1
Напряжение сток-исток, В 20
Мощность, Вт 1.6
Корпус SOT23

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 3.1A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 860mW
Rds On - Drain-Source Resistance 112mО© @ 2.8A,4.5V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20V
Vgs - Gate-Source Voltage 1V @ 250uA
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 193 КБ
Datasheet SI2301CDS-T1-E3
pdf, 164 КБ
SI2301CD
pdf, 202 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов