SI2312BDS-T1-E3, Диодно-тиристорный модуль

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию


33 руб.
от 5 шт. —
8.30 руб.
от 50 шт. —
по запросу
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 33 руб.
Номенклатурный номер: 9000207106
Артикул: SI2312BDS-T1-E3
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
МОП-транзистор N-Channel 20V 3.9A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
Qg - заряд затвора | 12 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 30 ns |
Время спада | 10 ns |
Высота | 1.45 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | SI2312BDS-E3 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SI2 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 35 ns |
Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.6 mm |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов