SI2312BDS-T1-E3, Диодно-тиристорный модуль
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 руб.
от 5 шт. —
8.30 руб.
от 50 шт. —
по запросу
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 33 руб.
Номенклатурный номер: 9000207106
Артикул: SI2312BDS-T1-E3
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
МОП-транзистор N-Channel 20V 3.9A
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 30 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 1.45 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | SI2312BDS-E3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
