SI2312BDS-T1-E3, Диодно-тиристорный модуль

Фото 1/2 SI2312BDS-T1-E3, Диодно-тиристорный модуль
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
33 руб.
от 5 шт.8.30 руб.
от 50 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 33 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000207106
Артикул: SI2312BDS-T1-E3
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

МОП-транзистор N-Channel 20V 3.9A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 5 A
Pd - рассеивание мощности 1.25 W
Qg - заряд затвора 12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 31 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 450 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 30 ns
Время спада 10 ns
Высота 1.45 mm
Длина 2.9 mm
Другие названия товара № SI2312BDS-E3
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 30 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SI2
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 35 ns
Типичное время задержки при включении 9 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.6 mm
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 218 КБ
Datasheet SI2312BDS-T1-E3
pdf, 217 КБ
Datasheet SI2312BDS-T1-E3
pdf, 182 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов