SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -5.3А [SOT-23]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
от 100 шт. —
215 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Посмотреть аналоги5
Номенклатурный номер: 9000050416
Артикул: SI2323DDS-T1-GE3
PartNumber: SI2323DDS-T1-GE 3
Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
TrenchFET® MOSFETs
Vishay / Siliconix TrenchFET ® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK ® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.
Vishay / Siliconix TrenchFET ® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK ® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.039 Ом/4.1А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.75 | |
Крутизна характеристики, S | 16 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают