SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -4.7А [SOT-23]

Артикул: SI2323DDS-T1-GE3
PartNumber: SI2323DS-T1-E3
Ном. номер: 9000050416
Производитель: Vishay
Фото 1/4 SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -4.7А [SOT-23]
Фото 2/4 SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -4.7А [SOT-23]Фото 3/4 SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -4.7А [SOT-23]Фото 4/4 SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -4.7А [SOT-23]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
28 руб. × = 28 руб.
от 10 шт. — 23 руб.
от 100 шт. — 22 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The SI2323DS-T1-E3 is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 1.25W.

• ±8V Gate-source voltage
• Halogen-free

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
39
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

Si2323DS Datasheet
pdf, 191 КБ

Дополнительная информация

Datasheet SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3
Datasheet SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов