Мой регион: Россия

SI4686DY-T1-E3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 18.2А [SOIC-8]

Ном. номер: 9000354510
Артикул: SI4686DY-T1-E3
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SI4686DY-T1-E3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 18.2А [SOIC-8]
Фото 2/2 SI4686DY-T1-E3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 18.2А [SOIC-8]
44 руб.
Цена и сроки поставки
по запросу
от 25 шт. — 40 руб.
от 250 шт. — по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 44 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The SI4686DY-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high-side DC-to-DC conversion applications.

• 100% Rg tested
• Extremely low Qgd WFET® technology for low switching losses
• -55 to 150°C Operating temperature range

Технические параметры

Вес, г
1

Техническая документация

SI4686DY
pdf, 165 КБ

Дополнительная информация

Datasheet SI4686DY-T1-E3
Datasheet SI4686DY-T1-E3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.