SI4936BDY-T1-E3, Транзистор

SI4936BDY-T1-E3, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
77 руб.
от 5 шт.62 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 77 руб.
Номенклатурный номер: 9000290275
Артикул: SI4936BDY-T1-E3

Описание

МОП-транзистор 30 Volt 6.9 Amp 2.8W

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 6.9 A
Pd - рассеивание мощности 2.8 W
Qg - заряд затвора 9.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 35 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 25 ns
Время спада 10 ns
Другие названия товара № SI4936BDY-E3
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET
Конфигурация Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 12 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия SI4
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 2 N-Channel
Типичное время задержки выключения 12 ns
Типичное время задержки при включении 5 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка / блок SO-8
Вес, г 0.5066

Техническая документация

Datasheet SI4936BDY-T1-E3
pdf, 172 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов