SI7212DN-T1-E3, Транзистор 2N-MOSFET 30В 4.9A 1.3Вт [1212-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

790 руб.

от 5 шт. — 753 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 790 руб.

Номенклатурный номер: 9001048501

Артикул: SI7212DN-T1-E3

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.9A I(D), 30V, 0.036OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

Base Part Number	SI7212
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel(Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	PowerPAKВ® 1212-8 Dual
Packaging	Cut Tape(CT)
Part Status	Active
Power - Max	1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 6.8A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAKВ® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 250ВµA
Вес, г	0.3