SI7370DP-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET 60В 9.6A [PowerPAK SO-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
от 5 шт. —
338 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
Рассеиваемая Мощность | 1.9Вт |
Полярность Транзистора | N Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 9.6А |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.009Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 362 КБ
si7370dp-1765844
pdf, 362 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов