SIA106DJ-T1-GE3, MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

260 руб.

от 10 шт. — 210 руб.

от 100 шт. — 142 руб.

от 500 шт. — 107.12 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.

Номенклатурный номер: 8005289808

Артикул: SIA106DJ-T1-GE3

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0142Ом
Power Dissipation	19Вт
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen IV
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	12А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	19Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0142Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK SC70
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1

pdf, 181 КБ

Мы рекомендуем