Мой регион: Россия

SIA416DJ-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 11.3 А, 100 В, 0.068 Ом, 10 В, 1.6 В

Ном. номер: 8217462334
PartNumber: SIA416DJ-T1-GE3
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SIA416DJ-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 11.3 А, 100 В, 0.068 Ом, 10 В, 1.6 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SIA416DJ-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 11.3 А, 100 В, 0.068 Ом, 10 В, 1.6 В
79 руб.
2340 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 66 руб.
от 100 шт. — 42 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
28 руб. 8 дней, 8840 шт. 20 шт. 20 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The SIA416DJ-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC converter, full-bridge converter, power bricks and POL power applications.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11,3 A
Тип корпуса
PowerPAK SC-70
Максимальное рассеяние мощности
19 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
2.15мм
Высота
0.75мм
Размеры
2.15 x 2.15 x 0.75мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.15мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
25 нс
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
15 нс
Серия
ThunderFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Максимальное сопротивление сток-исток
130 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
6,5 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
295 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.242

Дополнительная информация

Datasheet SIA416DJ-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.