SIHA17N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 15 А, 0.25 Ом, TO-220FP, Through Hole

SIHA17N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 15 А, 0.25 Ом, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
560 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 100 шт.533 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 800 руб.
Номенклатурный номер: 8001805026
Артикул: SIHA17N80E-GE3

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.25Ом
Power Dissipation 35Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции E
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока 15А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 35Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.25Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220FP
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet SIHA17N80E-GE3
pdf, 131 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов