SIHA22N60AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 20 А, 0.156 Ом, TO-220FP, Through Hole

SIHA22N60AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 20 А, 0.156 Ом, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
780 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.670 руб.
от 100 шт.553 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 3 120 руб.
Номенклатурный номер: 8001643346
Артикул: SIHA22N60AE-GE3

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.156Ом
Power Dissipation 33Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции E
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 20А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 33Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.156Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220FP
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet SIHA22N60AE-GE3
pdf, 131 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов